什么是微顯示?在顯示行業(yè)提微顯示概時，很多人都不明其義，或將具有“微顯示”特點的頭盔懸掛式微型SRT適配光學放大設備的顯示裝置稱其為微顯示;五年前，隨著LED小間距技術在顯示行業(yè)突飛猛進，行業(yè)內部分先導企業(yè)開始將“微示”用來定義P1.0以下的微間距產品;但隨著Mini/Micro人士為區(qū)別傳統顯示技術，將這一業(yè)態(tài)稱其為微顯示。

2019年6月21日，中國微顯示產業(yè)聯盟(籌)和盛世傳媒《LED屏顯世界》雜志發(fā)起舉辦的首屆“中國微顯示產業(yè)高峰論壇”上，首次對微顯示概念進行了定義。與會專家學者經過充分討論，認為自Mini/Micro LED等新型顯示概念興起后，國內外對于微顯示的認知存在理解上的偏差，LED顯示應用行業(yè)部分企業(yè)也頻繁借用“微顯示”概念，造成人們認知上的混亂，因此厘清微顯示的定義也就成了當務之急。在此次微峰會上，與會行業(yè)廠商代表和來自應用一線的用戶代表經過激烈而全面地探討，最終達成在LED顯示應用領域用“微間距顯示”來表述“微顯示”的共識。這也是行業(yè)有記錄可查的最早對“微顯示”概念進行的定義和界定，也掀起了行業(yè)方方面面對微顯示概念及定義的關注熱情。

微顯示技術相關概念和定義需要統一標準

Mini/Micro LED是一種新興的微顯示技術，具有高亮度、高對比度、高色彩飽和度、低功耗等優(yōu)點，被認為是未來顯示技術的發(fā)展方向之一。其中，Micro LED技術是在2000年由來自于德州理工大學的江紅星和林景瑜兩位教授領導的一個研究小組創(chuàng)造。MicroLED就是傳統LED通過更小的方式排放在陣列中，這種技術可以降低對極化和封裝層的要求，能讓顯示面板更薄。因此MicroLED的組件都很小，寬度不到50μm，比人類的頭發(fā)還細。

近年來，市場上涉及Mini/Micro LED的產品幾乎一經推出就廣受關注，Mini/MicroLED這把火，燒得紅遍半邊天。從上游芯片廠到中游封裝廠商，再到下游終端廠商都在談論Mini/MicroLED，但奇怪的是至今未對“Mini/MicroLED”的概念達成統一認知。

過去，對于Mini/MicroLED的概念，有的依據LED芯片尺寸<50μm定義為真正的Micro LED，介于50μm到200μm之間的屬于Mini LED;有的依據芯片面積<2500μm㎡;有的依據像素間距小于0.5mm;有的則以芯片最終是否帶有襯底作為評判準則。

從易于技術迭代理解角度，上游和面板顯示企業(yè)更傾向于從芯片尺寸、正倒裝和薄膜轉移(去襯底)來定義 Mini LED和Micro LED;從易于大屏顯示應用端理解角度，很多中游和LED顯示屏應用企業(yè)則更傾向于用像素間距(Pitch)來定義MiniLED和MicroLED(屏)。

重新定義Mini/Micro LED，明確相關標準，不但有助于大眾認知，其實也是促進行業(yè)向下一代顯示技術發(fā)展，從而推動我國LED顯示應用產業(yè)轉型升級的基本要求。

有鑒于此，很多協會組織和從事相關領域研發(fā)生產的企業(yè)都異常熱衷于相關微顯示概念的定義。例如深圳市照明與顯示工程行業(yè)協會就率先在2020年牽頭起草了《MiniLED商用顯示屏通用技術規(guī)范》的團體標準。其中對MiniLED顯示定義為，結構在100-200微米，尺寸介于小間距LED與Micro LED之間。稍后出來的《MicroLED顯示屏通用技術規(guī)范--中大尺寸顯示屏》團體標準明確對MicroLED芯片要求:MicroLED芯片尺寸要求長寬任意一邊小于100um;Micro LED芯片應為倒裝芯片，應采用無焊線工藝。

微顯示產業(yè)鏈發(fā)展狀況

以Mini/MicroLED為代表的微顯示產業(yè)，承襲LED產業(yè)發(fā)展脈絡，其上游產業(yè)鏈為芯片制備及巨量轉移技術，其中涉及到藍寶石/GaN襯底材料技術，從GaN外延片到Mini/Micro級芯片的制造技術以及相關芯片轉移搬運和全彩化顯示技術，處于整個Mini/MicroLED產業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié);中游面板封裝產業(yè)鏈則集中在驅動方式以及背板技術和面板封裝工藝等方面;下游產業(yè)鏈則主要為Mini/MicroLED產品的應用環(huán)節(jié)，就當前產業(yè)應用情況來看，其應用主要集中在一大一小兩端。其大的應用主要以三星、索尼以及國內雷曼、希達等為代表的企業(yè)在大尺寸屏幕顯示方面的應用，如視頻墻、MicroLED電視和巨幕等;在小尺寸應用方面主要以可穿戴的手表以及VR/AR和投影顯示等。

1.上游產業(yè)鏈

在LED顯示產業(yè)中，上游原材料供應商提供的是制造 LED基本元素的原材料。這些原材料包括:

襯底材料:氮化鎵(GaN)/藍寶石/碳化硅(SiC)等。GaN材料是制造半導體LED的重要原材料之一，也是許多其他半導體材料的基礎。藍寶石是LED所需要的襯底材料，可以幫助LED芯片提高亮度和可靠性。

氮化鎵(GaN)外延片:外延片是在藍寶石等襯底上生長GaN材料的過程中必不可少的材料。

在Mini/MicroLED芯片制備完成后，其集成工藝將從我們熟悉的直插、表貼、COB封裝制程轉變成了“巨量轉移”。

Mini/MicroLED巨量轉移技術是一種新型的半導體制造技術，可以將微小的LED芯片(MiniLED或 Micro LED)從原始晶圓上定位到另一個基板上。這項技術有助于提高顯示屏的亮度、對比度和分辨率，并具有更低的能源消耗。該技術使用精密的制造工藝，通過使用巨量轉移技術將成千上萬個LED從它們的基板上切割下來，然后將它們直接轉移到新的基板上。這可以在保持顏色一致性的同時提高LED的亮度和效率。

(1)巨量轉移技術是Mini/MicroLED量產化應用的關鍵

Mini/MicroLED巨量轉移技術是解決LED芯片小間距化、高分辨率化及大尺寸化的關鍵技術，其轉移良率、制程時間、制程技術、檢測方式、可重復性、加工成本等是Mini/MicroLED轉移技術必須考慮的要素。

巨量轉移的難點在于，如何提升轉移良率到99.9999%(俗稱的“六個九”)，且每顆芯片的精準度必須控制在正負0.5μm以內。傳統的LED在封裝環(huán)節(jié)，主要采用真空吸取的方式進行轉移。但由于真空管在物理極限下只能做到大約80μm，而MicroLED的尺寸基本小于50μm，所以真空吸附的方式在MicroLED時代不再適用。通常巨量轉移技術的轉移效率要求在每小時數十KK級以上現有的LED機械式轉移效率在每小時百K級，遠遠無法滿足Micro LED顯示的轉移要求，需要采用全新的技術來實現。若巨量轉移技術取得突破，將進一步推動微顯示產業(yè)商業(yè)化進程。

Mini/Micro LED巨量轉移技術的應用范圍非常廣泛，包括電視、智能手機、汽車照明、VR等。雖然這項技術的成本較高，但它的優(yōu)點使得它成為未來發(fā)展最快的技術之一。

（2）LED色彩轉換技術取得了突破

LED色彩轉換技術則是為了應對Micro LED芯片微縮后的光效降低問題，色轉換方案是實現全彩化的有效方法。其中，量子點色轉換技術被認為是解決MicroLED顯示所面臨的紅光LED低光效、巨量轉移等難題的候選技術路線之一。通過噴墨打印技術將量子點沉積在藍色或紫外MicroLED芯片上實現三色發(fā)光，同時避免了巨量化轉移。近年來，壓電/熱噴墨打印、氣溶膠噴墨打印、電流體動力噴墨打印、超級噴墨打印等技術被用來沉積色轉換層，為實現Micro LED全彩化表現出極大潛力。廈門大學張榮教授團隊與臺灣交通大學郭浩中教授合作，在 Opto-Electronic Advances2022年第5期上發(fā)表了題為“噴墨打印技術的原理及其在AR/VR微型顯示中的應用”的綜述文章。文章介紹了噴墨打印制備Micro LED色轉換層的優(yōu)勢，并討論了非輻射能量轉移機制以及色轉換層的厚度對色轉換效率的影響;介紹了SIJ相對于其他打印技術在分辨率上的優(yōu)越性。北京理工大學智能光子學課題組研究團隊立足MicroLED量子點色轉換技術，提出了將噴墨打印與光聚合結合的策略，發(fā)明了直接打印光聚合原位制備技術，原位制備出具有微透鏡光學結構的鈣鈦礦量子點圖案，實現了像素尺寸20微米、高度接近10微米的半球形三維鈣鈦礦量子點彩色微陣列，為解決打印像素中發(fā)光不均勻、藍光泄露等問題提供了新的思路，為 MicroLED色轉換、CCD紫外增強探測等光轉換應用提供了新的技術路線。

(3)Mini/MicroLED制程設備取得重大突破

產業(yè)發(fā)展，設備先行。在我國LED產業(yè)發(fā)展的前期階段，由于受制相關外延芯片制造及檢測設備無法獨立自主，導致我國在上游外延芯片領域嚴重受制于人，也制約了我國LED產業(yè)高質量運營及發(fā)展。隨著行業(yè)發(fā)展，國內設備廠商在中微半導體等設備廠商的引領下開始崛起，正逐步取代了臺系設備并與國際高端設備廠商展開競爭。特別是在Mini/MicroLED設備研發(fā)方面，國產設備廠

商基本與國際先進廠商處在同等技術水平線上。其中中微半導體制造的氮化鎵基MOCVD設備成功應用于Mini/MicroLED藍綠光領域，并占據絕對領先的市場地位。

近年來，已經有眾多設備廠商進入Mini/MicroLED設備領域，推出了各自的Mini/MicroLED設備，涵蓋了從巨量轉移、芯片點測、分測、固晶、焊線、點膠、檢測返修等諸多關鍵生產環(huán)節(jié)。

在此期間，一批設備廠商如中微半導體、新益昌、凱格精機、海目星等獲得資本市場認可，成功融資上市。在資本的加持下，更多如卓興一樣的新興設備廠商涌入Mini/MicroLED設備領域，推動整個行業(yè)的發(fā)展。

在Mini/MicroLED巨量轉移技術攻關方面，在我國相關企業(yè)的推動下，激光轉移技術正被更多的國內廠商所接受，未來也許會發(fā)展成國內巨量轉移技術的主流方向。大族激光、先導智能、海目星等企業(yè)已成功批量出貨相關Mini/MicroLED巨量轉移設備。新益昌也對外宣稱，其轉移良率已經接近99.999%水平。

在AOI全自動檢測設備領域更是云集了盟拓、精測、鎂伽、舜宇等一大批新老企業(yè)。而傳統LED顯示屏行業(yè)的諾瓦星云則在2022年推出了基于自研顯示控制芯片和算法在內的集點亮、檢測、校正、返修等全流程智能化管理的檢測設備，正式宣告涉足Mini/MicroLED設備領域。

有鑒于Mini/MicroLED微顯示產業(yè)的快速發(fā)展，資本也青睬于設備及關鍵原材料領域布局。據不完全統計，自2021年以來，僅投入到設備領域的資金就超百億元。不少風投機構看好中國微顯示產業(yè)設備領域的發(fā)展，認為未來中國微顯示設備領域完全能走出黑馬行情。

2.微顯示中游產業(yè)鏈

Mini/MicroLED顯示產業(yè)中游封裝產業(yè)鏈指的是將上游供應商提供的Mini/MicroLED芯片進行封裝測試后交付給下游最終產品制造商的整個生產線。由于此環(huán)節(jié)涉及到驅動背板技術的選擇以及驅動IC與Mini/MicroLED

燈板的鍵合，因此也是整個產業(yè)鏈中非常關鍵的環(huán)節(jié)。

將Mini/MicroLED從原始襯底上剝離下來后，需要通過轉移技術，將Mini/MicroLED陣列與驅動基板進行鍵合。常采用的兩種鍵合方式包括傳統的引線鍵合和改進的倒裝芯片鍵合。

由于Mini/Micro LED是電流驅動型發(fā)光器件，其驅動方式一般只有兩種模式:無源驅動(PM:Passive Matrix，又稱無源尋址、被動尋址、無源驅動等等)與有源驅動(AM:ActiveMatrix，又稱有源尋址、主動尋址、有源驅動等)。驅動方式不同，Mini/MicroLED像素單元驅動電路的結構也不同。

1、無源驅動技術

無源驅動方式把每一列像素的陽極(P-electrode)連接到列數據，每一行像素的陰極(N-electrode)連接到行掃描線。某特定的行和列有電流信號通過時，在行列交叉處的像素單元將會被點亮。逐行地對每個像素施加不同的電壓，每個像素能夠實現不同的亮度顯示，以點陣的方式動態(tài)顯示圖像。采用Mini/MicroLED無源驅動技術會導致電流密度過高，線間存在串擾，矩陣上不同布線長度的阻抗存在偏差等問題，Mini/MicroLED顯示器的分辨率、亮度、可靠性和畫面質量均受到限制。

2、有源驅動技術

在有源驅動電路中，每一個Mini/MicroLED像素都有各自獨立的驅動電路，雙晶體管單電容2T1C電路是最基本的有源矩陣驅動電路。單個2T1C像素電路使用2個TFT晶體管和1個電容，其中T為開關晶體管，用來控制像素電路的開啟或關閉，T，是驅動晶體管，與電壓源VDD相連，在一幀內為Mini/MicroLED提供穩(wěn)定的驅動電流，依靠存儲電容Cs來儲存Vdata數據信號。有源驅動方式克服了像素在掃描時存在的串擾問題，讓像素單元有更長的點亮時間，使Mini/MicroLED顯示器擁有更高的顯示亮度。圖(a)顯示雙晶體管單電容器(2T1C)有源矩陣像素電路，有源面板上驅動電路的配置為如圖(b)所示。

（轉載微顯示專刊）

PM是目前市面上較為成熟的技術方案。相較PM， AM驅動方式在畫質顯示細膩程度、對比度、功耗等方面更具優(yōu)勢，且AM方式可以控制光源連續(xù)發(fā)光，做到無屏閃，更加護眼。由于市場對高分區(qū)的高端顯示產品需求不斷增加，畫質更優(yōu)，且擁有精準調控優(yōu)勢的AM驅動技術現已進入快速發(fā)展階段。

歷經多年沉淀與儲備，微顯示行業(yè)產業(yè)鏈正在不斷優(yōu)化Mini/MicroLED的技術方案，助推量產成本的下降。那么，哪項封襲技術才是微顯示的最優(yōu)選?

就LED封裝技術來說，自LED顯示器件問世以來，產生了DIP直插、點陣模塊、SMD、COB、IMDPOB、MIP等多種類制，在小間距LED顯示領域，現階段SMD封裝技術仍是業(yè)內主流，如果選擇采用間距P1.0以上的顯示模組，那么SMD仍然會是優(yōu)秀的選擇。但隨著微距化競爭進一步加劇，傳統SMD單燈封裝技術很難滿足P1.0以下小間距LED顯示的需求，需要新的封裝技術來滿足微顯示時代的發(fā)展要求:

IMD封裝技術

在傳統小間距下探到POX時代幾乎小無可小的時候，國內行業(yè)出現了另外一種替代方案，即采用IMD集成封裝(Integrated MountedDevices，簡稱(“IMD”)的“四合一”“N合一”方案。IMD是將N組RGB燈珠集成封裝在一個小單元中，形成一個燈珠。主要技術路線:共陽4合1、共陰2合1、共陰4合

1、共陰6合1等。其優(yōu)點在于集成封裝的優(yōu)勢燈珠尺寸更大，表貼更容易，可實現更小點間距，降低維護難度。與傳統SMD相比，IMD具有更好的防碰撞性

能和更高的貼片效率。而且IMD具有高顏色一致性，易分BIN性能、SMT工藝兼容性、易返修等優(yōu)點，目前也有不少企業(yè)采用。“四合一”封裝被視為傳統表貼燈珠和COB產品之間的折中方案，即一個封裝結構中有四個基本像素結構，集合了SMD和COB的優(yōu)點。這種封裝的好外在千克服了COB封裝里單-CELL結構中LED晶體件過多的技術難度;對于下游終端制造企業(yè)而言，基本封裝單位的幾何尺寸不會因為“像素間距過小”而變得“非常小”，進而導致“表貼”焊接困難度提升;并且一個幾何尺寸剛剛好的基礎封裝結構，有助于小間距LED顯示屏“壞燈”的修復，甚至滿足“現場手動”修復的需求(0X的表貼產品和COB產品都不具有這種特性)。但是和 SMD技術一樣，由于MiniLED需要高密度封裝，IMD也面臨著封裝密度難以突破的限制。

COB封裝技術

COB(chip-on-board)即板上芯片封裝，是一種區(qū)別于SMD表貼封裝技術的新型封裝方式，具體是將裸芯用導電或非導電膠粘附在PCB上，然后進行引線鍵合實現其電氣連接，并用膠把芯片和鍵合引線包封。COB的工藝路線包括錫膏印刷，固晶，自動光學檢測AOI，點亮測試，返修和覆膜。采用倒裝技術的COB具有很多優(yōu)勢，如散熱性好、可靠性高、保護力度更強以減少維修成本等。COB技術突破了發(fā)光芯片封裝為燈珠、燈珠貼裝到PCB板的物理尺寸限制，以其高穩(wěn)定性、超高清顯示技術特點，成為目前市場上新興的顯示封裝技術。

我國LED直顯企業(yè)最早在顯示領域涉足COB封裝技術，在希達等一批早期企業(yè)的引領下，國內LED顯示行業(yè)嘗試用COB工藝替代傳統的SMD貼片工藝。后期在雷曼、卓華等企業(yè)加入COB陣營后，COB技術路線迅速被行業(yè)所認可。后期一線品牌及封裝企業(yè)迅速跟進。COB技術在國內LED顯示行業(yè)正式告別了小步慢跑，跨進到資本密集的規(guī)模化量產階段。此舉可有效降低成本，促進COB規(guī)模化市場應用。

POB封裝技術

即Packageon Board，行業(yè)內俗稱的滿天星方案，首先將LED芯片封裝成單顆的SMDLED燈珠，再把燈珠打在基板上。POB是目前運用最廣泛的封裝技術，在目前的MiniLED背光顯示器產品中尤為普遍。優(yōu)點是成熟度高，能夠滿足大部分應用行業(yè)的封裝要求，并且封裝技術與工藝要求也較低，但缺點是背光模組厚度較高，不能做到輕薄化。從目前技術情況來看，MiniPOB依然是主流，更適用于43~85寸的TV17~39寸的 MNT車載顯示等，總體的性價比較高。雖然MiniLED背光滲透提速，但其發(fā)展面臨成本、封裝路線等各種挑戰(zhàn)。尤其POB與COB的方案之爭，始終處于MiniLED背光博弈的風口浪尖之上。有觀點認為，MiniPOB工藝難度低、量產性強，但受限于封裝尺寸，目前普遍應用在大OD模組上，主要針對中低階TVMNT和車載市場。而MiniCOB可實現超薄，OD可達到~0mm及以上;但現階段工藝難度、設備投入、物料要求相對較高，模組良率較低。不過，隨著產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)技術成熟度的提升，良率將得到解決，其發(fā)展前景遠大于MiniPOB，實現全領域應用。

MIP封裝技術

MIP(MicroLEDinPackage)是一種基于Micro LED的新型封裝架構，其脫胎于久經歷練的小間距顯示產品，本質是MicroLED和分立器件的有機結合，即將大面積的整塊顯示面板分開封裝，這樣更小面積下其良率控制將得到極大提升，同時測試環(huán)節(jié)從芯片后移至封裝段，將有效降低成本提升速率。

從成本角度講，MIP封裝技術可以不大幅增加設備，能夠使用當前機臺設備進行生產，這樣就大幅降低了企業(yè)的高昂的產線設備端投入。同時，MIP技術將原先需要在芯片端進行的測試后移至封裝端，從芯片測試改為對引腳的點測，效率得到大幅提升的同時也進一步降低了成本。MIP封裝還更易于后期的檢測和修復。

由于不同間距產品采用不同的工藝模式，性價比有所不同，故多種封裝模式共存將會持續(xù)一段時間。但從間距逐步減小，性價比逐步提升的趨勢來看，COB和MIP封裝模式具有明顯優(yōu)勢。尤其是MIP適用更小的芯片，減小間距和降低成本的空間更大，MicroLED未來將成為通吃的顯示產品，從大尺寸應用到小尺寸應用的趨勢已經確定，使用的芯片也會越來越小，那么MIP優(yōu)勢將更加明顯。

COG封裝技術

由于傳統PCB板在Mini/MicroLED微顯示時代不僅面臨小無可小的窘境，而目其線路板設計難度(層數、過孔數)及成本都將成倍增加。因此，相關業(yè)界廠商引進了COG封裝概念。COG(chiponglass)，顧名思義，就是玻璃上的芯片封裝技術�？梢院唵胃爬�為:LED發(fā)光芯片直接封裝在TFT玻璃基板(或者TFT樹脂基板)上的LED顯示單元封裝技術。這一技術的主要特點有三個:1LED晶體顆粒直接封裝，這是微米級芯片的巨量操作;2背板電路采用TFT玻璃基板等新型產品替代傳統的PCB電路板;3LED芯片的工作方式是AM主動驅動，而非傳統PM被動驅動。

由于COG技術更適合于采用AM有源驅動方式的面板廠商，因此更受面板及習慣面板組裝工藝的終端電視廠商的青睞。相關廠商認為玻璃基板的光滑性，更話合巨量轉移技術的大量LED芯片同步操作�？蓸O大的提升了巨量轉移技術的上限，降低了巨量轉移的難度和工藝差因素。

盡管Mini/MicroLED微顯示在PM、AM驅動方式及基板選擇上，行業(yè)還有不同意見，但不妨礙相關企業(yè)布局COG技術。京東方、TCL華星、深天馬、維信諾等面板廠商包括LED直顯領域的龍頭企業(yè)利亞德等都布局了相應的COG技術與驅動顯示方案。

如果未來主流行業(yè)選擇COG路線，則以Mini/MicroLED為代表的微顯示產業(yè)鏈將會發(fā)生巨變。從PCB載板過渡到 TFT玻璃基板，從PM無源驅動過渡到AM有源驅動，在TFT玻璃基板領域具有巨大影響力甚至壟斷能力的企業(yè)，如三星、 LG、京東方、華星光電、群創(chuàng)、友達、深天馬、惠科等無疑更有優(yōu)勢。因此，在COG時代，TFT玻璃基板作為上游產業(yè)鏈，對相關LED顯示產品的行業(yè)控制權、定價權，具有LED顯示歷史上前所未有的“決定性”地位。

實際上，從LED直插式技術、SMD表貼式技術、COB技術，到COG技術，在產品端看，其核心的不同點就是“LED顯示的像素間距越來越小、單位顯示面積LED芯片數量集成規(guī)模越來越高”。--這也恰是小間距LED顯示、微間距LED顯示、Mini/MicroLED技術主要的前進方向。

有鑒于此，相關從事微顯示的廠商都基于短板方面進行針對性布局。如玻璃基板巨頭京東方于去年11月份控股華燦光電，打通了Mini/MicroLED上游芯片環(huán)節(jié);海信視像增持乾照光電股權并取得該企業(yè)控制權，得以補齊Mini/MicroLED上游芯片領域的短板。與此同時，在國內LED芯片行業(yè)居首位的三安光電也加強與另一顯示龍頭企業(yè)TCL科技的戰(zhàn)略合作，包括建立合資企業(yè)，加快推動MicroLED芯片的產業(yè)化。稍早前，利亞德與臺灣晶電合資成立利晶微電子，在無錫建成全球首個運用巨量轉移技術實現最小尺寸MicroLED顯示產品大規(guī)模量產的基地。而聯建光電也于2019年和重慶康佳研究院成立合資公司，主要從事MiniLED及MicroLED大屏顯示產品研發(fā)、生產制造。除去這些跨行業(yè)整合布局外，相關LED封裝企業(yè)的動向也值得觀察，國星、兆馳、中麒都布局了完整的從上游芯片到中游封裝的產線;包括木林森在內的部分封裝企業(yè)也朝控股或者參股LED芯片企業(yè)的方向在布局。在Mini/MicroLED微顯示產業(yè)鏈上，越來越多企業(yè)注意到上游芯片領域的核心價值，爭搶上游核心芯片資源成為當下微顯示產業(yè)鏈真實寫照。